數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀
該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法"設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)數(shù)次全國(guó)十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量

產(chǎn)品型號(hào)：LT-100C

更新時(shí)間：2024-02-07

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪(fǎng)問(wèn)量：1041

產(chǎn)品咨詢(xún) 18910534055

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產(chǎn)品分類(lèi)

實(shí)驗(yàn)室儀器

傳感器硬度計(jì) 離子計(jì) 壓片機(jī) 熱量計(jì) 油滴儀流速儀計(jì)時(shí)計(jì) 分析儀熔點(diǎn)儀試驗(yàn)器量熱儀液（物）位計(jì) 混合器凈度儀水平儀測(cè)寬儀除濕機(jī) 貫入儀平衡儀監(jiān)測(cè)儀檢測(cè)裝置粉碎機(jī) 試驗(yàn)機(jī) 測(cè)定器報(bào)警儀酸度計(jì) 攪拌器發(fā)生器計(jì)數(shù)器電沙浴光度計(jì) 溶氧儀菌落計(jì)數(shù) PH計(jì) 探傷儀精密烘箱溫水槽氫氘燈顯微鏡聲校準(zhǔn)器照度計(jì) 測(cè)試儀判斷儀監(jiān)控儀測(cè)定儀試驗(yàn)儀風(fēng)速儀檢測(cè)儀濁度計(jì) 厚度儀萃取器/萃取儀 CST毛細(xì)吸水時(shí)間測(cè)試儀水分活度計(jì) 智能微粒檢測(cè)儀酒精噴燈試驗(yàn)裝置金相顯微鏡顆粒強(qiáng)度測(cè)定儀石油產(chǎn)品檢測(cè)儀器勻膠機(jī) 粘土吸藍(lán)量試驗(yàn)儀均質(zhì)器攪拌器/攪拌機(jī) 馬弗爐一體化智能蒸餾儀氫氣發(fā)生器清洗機(jī) 萃取儀水質(zhì)硫化物酸化吹氣儀軌道式搖床離心機(jī) 金屬浴干式恒溫器多管旋渦混合儀其他實(shí)驗(yàn)室專(zhuān)用洗砂機(jī) 氮吹濃縮儀水質(zhì)采樣器糧食專(zhuān)用振蕩器無(wú)油真空泵多功能樣品氮吹濃縮儀

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數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀型號(hào)： LT-100C

數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀

為解決太陽(yáng)能單晶、多晶少子壽命測(cè)量，特按照國(guó)標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀。
      該設(shè)備是按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法"設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)數(shù)次全國(guó)十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量；也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，制樣簡(jiǎn)便。
有以下特點(diǎn)：
1、可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無(wú)需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。
2、  可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無(wú)需拋光、鈍化。
3、配備**用軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。
4、配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源：
a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體。
5、測(cè)量范圍寬廣
測(cè)試儀可直接測(cè)量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。
b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測(cè)范圍     0.25μS—10ms